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科研机构
西安光学精密机械研究... [6]
内容类型
专利 [6]
发表日期
2019 [1]
2012 [2]
2009 [1]
1991 [1]
1989 [1]
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Strain-tolerant die attach with improved thermal conductivity, and method of fabrication
专利
专利号: US10410958, 申请日期: 2019-09-10, 公开日期: 2019-09-10
作者:
KARLICEK, JR., ROBERT F.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/12/24
Light-emitting devices and related systems
专利
专利号: US8100567, 申请日期: 2012-01-24, 公开日期: 2012-01-24
作者:
ERCHAK, ALEXEI A.
;
LIM, MICHAEL
;
LIDORIKIS, ELEFTERIOS
;
VENEZIA, JO A.
;
NEMCHUK, NIKOLAY I.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
Light-emitting devices and related systems
专利
专利号: US8100567, 申请日期: 2012-01-24, 公开日期: 2012-01-24
作者:
ERCHAK, ALEXEI A.
;
LIM, MICHAEL
;
LIDORIKIS, ELEFTERIOS
;
VENEZIA, JO A.
;
NEMCHUK, NIKOLAY I.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
Light-emitting device on-wafer test systems and methods
专利
专利号: US20090236506A1, 申请日期: 2009-09-24, 公开日期: 2009-09-24
作者:
DUDGEON, ROBERT G.
;
BROWN, MICHAEL G.
;
KARLICEK, JR., ROBERT F.
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/31
Method of controlling dopant incorporation in high resistivity In-based compound Group III-V epitaxial layers
专利
专利号: US4999315, 申请日期: 1991-03-12, 公开日期: 1991-03-12
作者:
JOHNSTON, JR., WILBUR D.
;
KARLICEK, JR., ROBERT F.
;
LONG, JUDITH A.
;
WILT, DANIEL P.
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor devices employing high resistivity in-based compound group III-IV epitaxial layer for current confinement
专利
专利号: US4888624, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:
JOHNSTON, JR., WILBUR D.
;
KARLICEK, JR., ROBERT F.
;
LONG, JUDITH A.
;
WILT, DANIEL P.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/26
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