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Real-time observation of X-ray-induced intramolecular and interatomic electronic decay in CH2I2 期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10, 页码: 2186
作者:  Fukuzawa, Hironobu;  Takanashi, Tsukasa;  Kukk, Edwin;  Motomura, Koji;  Wada, Shin-iIchi
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Following the Birth of a Nanoplasma Produced by an Ultrashort Hard-X-Ray Laser in Xenon Clusters 期刊论文
PHYSICAL REVIEW ACCELERATORS AND BEAMS, 2018, 卷号: 21
作者:  Kumagai, Yoshiaki;  Fukuzawa, Hironobu;  Motomura, Koji;  Iablonskyi, Denys;  Nagaya, Kiyonobu
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Ultrafast Coulomb explosion of a diiodomethane molecule induced by an X-ray free-electron laser pulse 期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2017, 卷号: 19, 页码: 19707-19721
作者:  Takanashi, Tsukasa;  Nakamura, Kosuke;  Kukk, Edwin;  Motomura, Koji;  Fukuzawa, Hironobu
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Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1989319981A, 申请日期: 1989-12-26, 公开日期: 1989-12-26
作者:  FUKUZAWA TADASHI
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Semiconductor laser having quantum well active region doped with impurities 专利
专利号: US4881238, 申请日期: 1989-11-14, 公开日期: 1989-11-14
作者:  CHINONE, NAOKI;  UOMI, KAZUHISA;  FUKUZAWA, TADASHI;  MATSUEDA, HIDEAKI;  KAJIMURA, TAKASHI
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Semiconductor laser having a multiple quantum well structure doped with impurities 专利
专利号: US4881235, 申请日期: 1989-11-14, 公开日期: 1989-11-14
作者:  CHINONE, NAOKI;  UOMI, KAZUHISA;  FUKUZAWA, TADASHI;  MATSUEDA, HIDEAKI;  KAJIMURA, TAKASHI
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Manufacture of semiconductor structure 专利
专利号: JP1989232715A, 申请日期: 1989-09-18, 公开日期: 1989-09-18
作者:  FUKUZAWA TADASHI;  ITO KAZUHIRO;  NAKAMURA HITOSHI;  MATSUDA HIROSHI
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Fabrication process of semiconductor lasers 专利
专利号: US4783425, 申请日期: 1988-11-08, 公开日期: 1988-11-08
作者:  FUKUZAWA, TADASHI;  ONO, YUICHI;  NAKATSUKA, SHINICHI;  KAJIMURA, TAKASHI
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- 专利
专利号: JP1988047355B2, 申请日期: 1988-09-21, 公开日期: 1988-09-21
作者:  KOBAYASHI KEISUKE;  NAKAJIMA HISAO;  WATANABE NOZOMI;  YAMASHITA MASATO;  FUKUZAWA TADASHI
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Manufacture of semiconductor fine structure 专利
专利号: JP1988155713A, 申请日期: 1988-06-28, 公开日期: 1988-06-28
作者:  FUKUZAWA TADASHI
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