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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 - 专利 专利号: JP1993008857B2, 申请日期: 1993-02-03, 公开日期: 1993-02-03 作者:  FUJII SADAO;  UMENO MASAYOSHI 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 Liquid-phase epitaxial crystal growth method 专利 专利号: JP1986208216A, 申请日期: 1986-09-16, 公开日期: 1986-09-16 作者:  UMENO MASAYOSHI;  FUJII SADAO 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 Method for forming mixed crystal inxga1-xasyp1-y including large amount of ga with liquid phase epitaxial method 专利 专利号: JP1986116830A, 申请日期: 1986-06-04, 公开日期: 1986-06-04 作者:  UMENO MASAYOSHI;  FUJII SADAO 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 Manufacture of ingaas compound semiconductor 专利 专利号: JP1985201623A, 申请日期: 1985-10-12, 公开日期: 1985-10-12 作者:   收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31