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半导体研究所 [4]
西安交通大学 [2]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2015 [1]
2014 [2]
2013 [3]
学科主题
半导体材料 [4]
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Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes
期刊论文
phys. status solidi a, 2015, 卷号: 212, 期号: 5, 页码: 1158-1161
He Kang
;
Quan Wang
;
Hongling Xiao
;
Cuimei Wang
;
Lijuan Jiang
;
Chun Feng
;
Hong Chen
;
Haibo Yin
;
Shenqi Qu
;
Enchao Peng
;
Jiamin Gong
;
Xiaoliang Wang
;
Baiquan Li
;
Zhanguo Wang
;
Xun Hou
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2016/03/29
Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer
期刊论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 66, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:
Qu, Shenqi
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Jiang, Lijuan
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT
期刊论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 68, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:
Qu, Shenqi
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Jiang, Lijuan
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/02
Tunable density of two-dimensional electron gas in GaN-based heterostructures The effects of buffer acceptor and channel width
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 15, 页码: 4507
Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Shenqi Qu, He Kang, Xun Hou and Zhanguo Wang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/03/18
Growth and characterization of AlGaNAlNGaNAlGaN double heterojunction structures with AlGaN as buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2013, 卷号: 383, 页码: 25–29
Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Xun Hou, Zhanguo Wang
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2014/03/18
Bipolar characteristics of AlGaNAlNGaNAlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2013, 卷号: 576, 页码: 48–53
Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Xun Hou, Zhanguo Wang
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提交时间:2014/03/18
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