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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2020 [1]
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Interlayer Band-to-Band Tunneling and Negative Differential Resistance in van der Waals BP/InSe Field-Effect Transistors
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020, 卷号: 30, 期号: 15, 页码: 1910713
作者:
Quanshan Lv
;
Faguang Yan
;
Nobuya Mori
;
Wenkai Zhu
;
Ce Hu
;
Zakhar R. Kudrynskyi
;
Zakhar D. Kovalyuk
;
Amalia Patanè
;
Kaiyou Wang
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提交时间:2021/11/05
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