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Effect of Ta irradiation on microstructure and current carrying properties of YBCO coated conductors with element doping
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 8, 页码: 8
作者:
Gu, Yu
;
Cai, Chuanbing
;
Liu, Zhiyong
;
Liu, Jie
;
Liu, Li
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/12/08
天琴计划简介
期刊论文
中山大学学报(自然科学版)/Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2021, 卷号: 60, 期号: 1-2, 页码: 1-19
作者:
罗俊
;
艾凌皓
;
艾艳丽
;
安子聪
;
白伟钢
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浏览/下载:139/0
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提交时间:2021/01/18
天琴计划
空间引力波探测
引力波
中国极化电子离子对撞机计划
期刊论文
核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 02, 页码: 3-61
作者:
曹须
;
常雷
;
畅宁波
;
陈旭荣
;
陈卓俊
收藏
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浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2022/04/18
电子离子对撞机
核子结构
核子质量
奇特强子态
量子色动力学
螺旋度
横动量依赖部分子分布
广义部分子分布
深度虚康普顿散射
深度虚介子散射
能量回收型直线加速器
极化度
自旋旋转器
三维成像
中国极化电子离子对撞机计划
期刊论文
核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 02, 页码: 3-61
作者:
曹须
;
常雷
;
畅宁波
;
陈旭荣
;
陈卓俊
收藏
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2021/04/25
电子离子对撞机
核子结构
核子质量
奇特强子态
量子色动力学
螺旋度
横动量依赖部分子分布
广义部分子分布
深度虚康普顿散射
深度虚介子散射
能量回收型直线加速器
极化度
自旋旋转器
三维成像
中国极化电子离子对撞机计划
期刊论文
核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 2
作者:
曹须
;
常雷
;
畅宁波
;
陈旭荣
;
陈卓俊
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2022/03/10
电子离子对撞机
核子结构
核子质量
奇特强子态
量子色动力学
螺旋度
横动量依赖部分子分布
广义部分子分布
深度虚康普顿散射
深度虚介子散射
能量回收型直线加速器
极化度
自旋旋转器
三维成像
一种带角度定位的输运装置及其控制方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN108202996A, 申请日期: 2018-06-26,
作者:
张环宇
;
黄益泽
;
荣胜波
;
朱军
;
史勃
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2018/08/04
Na_(1.88)Bi_(1.88)S_4和Na_(1.36)Ca_(1.28)Bi_(1.36)S_4单晶制备与结构及其光学性能表征(英文)
期刊论文
无机材料学报, 2018, 卷号: 33, 页码: 100-106
作者:
王东[1]
;
贺剑桥[2]
;
赖晓芳[3]
;
黄荣铁[4]
;
施鹰[5]
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/04/24
单晶生长
Na1.88Bi1.88S4
Na1.36Ca1.28Bi1.36S4
半导体材料
Measurement of the integrated Luminosities of cross-section scan data samples around the ψ mass region
期刊论文
统计研究, 2018, 卷号: 第6期, 页码: 5-12
作者:
Mai DN(麦迪娜)
;
M.N.Achasov
;
S.Ahmed
;
M.Albrecht
;
M.Alekseev
收藏
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浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Determination of the number of ψ(3686)events at BESⅢ
期刊论文
Chinese Physics C, 2018, 卷号: 第42卷 第2期, 页码: 7-17
作者:
Mai DN(麦迪娜)
;
M.N.Achasov
;
Ai XC(艾小聪)
;
D.J.Ambrose
;
A.Amoroso
收藏
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2019/12/26
事件
数据积累
BES
Na1.88Bi1.88S4 and Na1.36Ca1.28Bi1.36S4 Single Crystals: Growth, Structure and Optical Property
期刊论文
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2018, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 100
作者:
Wang Dong
;
He JiaoQiao
;
Lai XiaoFang
;
Huang RongTie
;
Shi Ying
收藏
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浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2020/12/24
Single Crystal Growth
Na1.88bi1.88s4
Na1.36ca1.28bi1.36s4
Semiconducting Materials
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