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一种电力物联网终端虚拟化模拟仿真平台及仿真方法
专利
申请日期: 2021-12-10,
作者:
李桐
;
任帅
;
赵海
;
刘一涛
;
刘劲松
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2022/01/02
Inhibition of peak electric field shifting on current filaments of high voltage diode
期刊论文
2019, 卷号: 94, 页码: 13-18
作者:
Wang, Cailin
;
Zhang, Lei
;
Yang, Jing
;
Yang, Wuhua
;
Zhang, Qi
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
High voltage diode
Positive differential resistance
Current filament
Dynamic avalanche
A 6.5kV FSRD structure with an epitaxial p buffer and diffused n buffer layers
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Wang, Cailin
;
Li, Pu
;
Su, Le
;
Zhang, Lei
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/20
fast soft recovery diode(FSRD)
dynamic avalanche
epitaxy
buffer layer
A high voltage diode with partial n(+) adjusting region embedded a the anode side
期刊论文
2019, 卷号: 16
作者:
Zhang, Lei
;
Wang, Cailin
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/20
dynamic avalanche
current filament
high voltage diode
reverse recovery
Destruction behavior in high voltage diode with the field limiting ring termination
期刊论文
2019, 卷号: 16
作者:
Zhang, Lei
;
Wang, Cailin
;
Song, Yang
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/20
dynamic avalanche
current filament
high voltage diode
reverse recovery
Limitation of switching-self-clamping-mode "SSCM" in high voltage IGBTs
期刊论文
2019, 卷号: 96, 页码: 1-6
作者:
Wang, Cailin
;
Yang, Wuhua
;
Yang, Jing
;
Zhang, Lei
;
Zhang, Ruliang
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/20
Insulated gate bipolar transistor (IGBT)
Switching-self-clamping-mode (SSCM)
Dynamic avalanche
Current filament
Safe operating area (SOA)
Improving the rate performance of manganese dioxide by doping with Cu 2+ Co 2+ and Ni 2+ ions
期刊论文
International Journal of Electrochemical Science, 2019, 卷号: 14, 期号: 4, 页码: 3673-3683
作者:
Yang, You
;
Huang, Xiaobing
;
Yang, Yuqing
;
Wu, Cailin
;
Lei, Ben
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/27
Manganese dioxide
Metal doping
Supercapacitor
Rate performance
Clustering and Dynamic Sampling Based Unsupervised Domain Adaptation for Person Re-Identification
会议论文
中国-上海, 2019-10
作者:
Wu JL(吴锦林)
;
Liao SC(廖胜才)
;
Wang XB(王晓波)
;
Yang Y(杨阳)
;
Lei Z(雷震)
收藏
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提交时间:2022/07/06
A new termination structure with FLR and trench for 3.3kV SiC PiN diode
会议论文
2018 1ST WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS IN ASIA (WIPDA ASIA), 2018-01-01
作者:
Wang, Cailin
;
Han, Rui
;
Zhang, Lei
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/20
4H-SiC
power diode
edge termination
trench
field limit ring (FLR)
A 10kV 4H-SiC PiN Diode with Gradual Doping Buffer Layers and p plus Adjusting Regions at Cathode
会议论文
2018 1ST WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS IN ASIA (WIPDA ASIA), 2018-01-01
作者:
Wang, Cailin
;
Su, Le
;
Zhang, Lei
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
4H-SiC
PiN Diode
adjusting region
gradual varied doping
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