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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司
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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司
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| III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
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| III族氮化物半导体激光元件 专利
专利号: CN103620895A, 申请日期: 2014-03-05, 公开日期: 2014-03-05
作者: 住友隆道; 上野昌纪; 善积祐介
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| Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
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| Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
作者: 善积祐介; 高木慎平; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽
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| III族氮化物半导体激光二极管 专利
专利号: CN102460866A, 申请日期: 2012-05-16, 公开日期: 2012-05-16
作者: 足立真宽; 德山慎司; 盐谷阳平; 京野孝史; 善积祐介
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| 氮化物系半导体发光器件 专利
专利号: CN102150288A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
作者: 京野孝史; 盐谷阳平; 善积祐介; 秋田胜史; 上野昌纪
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