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| 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ 专利 专利号: JP3946337B2, 申请日期: 2007-04-20, 公开日期: 2007-07-18 作者: 小野村 正明; 波多腰 玄一; 布上 真也; 石川 正行 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18 作者: 板谷 和彦; 山本 雅裕; 小野村 正明; 藤本 英俊; 波多腰 玄一 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半導体レーザ 专利 专利号: JP3517120B2, 申请日期: 2004-01-30, 公开日期: 2004-04-05 作者: 波多腰 玄一; 藤本 英俊; 石川 正行 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 化合物半导体发光器件 专利 专利号: CN1093988C, 申请日期: 2002-11-06, 公开日期: 2002-11-06 作者: 石川正行; 新田康一 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半導体発光装置 专利 专利号: JP3222652B2, 申请日期: 2001-08-17, 公开日期: 2001-10-29 作者: 西川 幸江; 石川 正行; 斎藤 真司 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体装置 专利 专利号: JP3207618B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10 作者: 石川 正行; 西川 幸江; 斎藤 真司 收藏  |  浏览/下载:38/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP3144821B2, 申请日期: 2001-01-05, 公开日期: 2001-03-12 作者: 新田 康一; 石川 正行; 岡島 正季; 板谷 和彦; 波多腰 玄一 收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP3135250B2, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2001-02-13 作者: 石川 正行; 新田 康一; 渡邊 実; 岡島 正季 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 面発光型半導体レーザ 专利 专利号: JP2000196189A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14 作者: 高岡 圭児; 石川 正行 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 化合物半導体レーザ装置 专利 专利号: JP1999186650A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09 作者: 板谷 和彦; 布上 真也; 石川 正行 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31 |