|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 半導体層のキャリア濃度の設定方法及び半導体レーザのキャリア濃度の設定方法 专利
专利号: JP3490923B2, 申请日期: 2003-11-07, 公开日期: 2004-01-26
作者: 本多 正治; 浜田 弘喜; 庄野 昌幸; ▲廣▼山 良治
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 半導体レーザ 专利
专利号: JP3075728B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14
作者: 本多 正治; 浜田 弘喜; 庄野 昌幸; 廣山 良治
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2951053B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20
作者: 浜田 弘喜; 庄野 昌幸
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2919606B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-12
作者: 廣山 良治; 浜田 弘喜
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/23 |
| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2889645B2, 申请日期: 1999-02-19, 公开日期: 1999-05-10
作者: 浜田 弘喜
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2708784B2, 申请日期: 1997-10-17, 公开日期: 1998-02-04
作者: 浜田 弘喜
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2664389B2, 申请日期: 1997-06-20, 公开日期: 1997-10-15
作者: 浜田 弘喜
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2630929B2, 申请日期: 1997-04-25, 公开日期: 1997-07-16
作者: 浜田 弘喜
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 可視光半導体発光装置とその製造方法 专利
专利号: JP1996228041A, 申请日期: 1996-09-03, 公开日期: 1996-09-03
作者: 浜田 弘喜; 本多 正治; 庄野 昌幸; 山口 隆夫
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 可視光半導体発光装置とその製造方法 专利
专利号: JP1996228050A, 申请日期: 1996-09-03, 公开日期: 1996-09-03
作者: 浜田 弘喜; 本多 正治; 庄野 昌幸; 山口 隆夫
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
