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| 半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法 专利
专利号: JP3315185B2, 申请日期: 2002-06-07, 公开日期: 2002-08-19
作者: 國次 恭宏; 永井 豊
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2000058971A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者: 永井 豊; 三橋 豊; 宮下 宗治; 梶川 靖友
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1999163468A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
作者: 永井 豊; 多田 仁史
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| 半導体レーザ,及びその製造方法 专利
专利号: JP1999068231A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者: 永井 豊
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| 半導体レーザ,及びその製造方法 专利
专利号: JP1999040879A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
作者: 永井 豊
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| 半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP1999026866A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者: 梶川 靖友; 永井 豊; 川崎 和重
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1999017267A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
作者: 坂本 善史; 永井 豊
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| 半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP2863677B2, 申请日期: 1998-12-11, 公开日期: 1999-03-03
作者: 永井 豊; 宮下 宗治; 杵築 弘隆; 三井 興太郎
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| 半導体レーザダイオードとその製造方法 专利
专利号: JP1998321947A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04
作者: 永井 豊; 多田 仁史
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| 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1998256640A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
作者: 多田 仁史; 永井 豊
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