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| 半导体发光器件 专利
专利号: CN202405309U, CN202405309U, 申请日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29
作者: 藤金正树; 井上彰; 横川俊哉
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| 氮化物半导体发光元件 专利
专利号: CN100411265C, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13
作者: 长谷川义晃; 横川俊哉; 石桥明彦
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| 氮化物半导体装置及其制造方法 专利
专利号: CN101124704A, 申请日期: 2008-02-13, 公开日期: 2008-02-13
作者: 长谷川義晃; 菅原岳; 安杖尚美; 石桥明彦; 横川俊哉
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| 氮化物半导体元件及其制造方法 专利
专利号: CN100349341C, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2007-11-14
作者: 菅原岳; 川口靖利; 石桥明彦; 木户口勋; 横川俊哉
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP3708213B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
作者: 横川 俊哉; 熊渕 康仁
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| 半导体激光器和其制造方法 专利
专利号: CN1639934A, 申请日期: 2005-07-13, 公开日期: 2005-07-13
作者: 长谷川义晃; 横川俊哉
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| 氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利
专利号: CN1618154A, 申请日期: 2005-05-18, 公开日期: 2005-05-18
作者: 菅原岳; 长谷川义晃; 石桥明彦; 横川俊哉
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08
作者: 横川 俊哉; 吉井 重雄
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| 発光素子及びその製造方法および光ディスク装置 专利
专利号: JP1999026877A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者: 横川 俊哉; 齋藤 徹
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| 半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
作者: 佐々井 洋一; 上山 智; 齋藤 徹; 辻村 歩; 西川 孝司
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