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| 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18
作者: 板谷 和彦; 山本 雅裕; 小野村 正明; 藤本 英俊; 波多腰 玄一
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| 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP3655066B2, 申请日期: 2005-03-11, 公开日期: 2005-06-02
作者: 小野村 正明; 波多腰 玄一; 板谷 和彦; 吉田 博昭; 鈴木 真理子
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| 発光ダイオード 专利
专利号: JP3373561B2, 申请日期: 2002-11-22, 公开日期: 2003-02-04
作者: 菅原 秀人; 板谷 和彦
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP3242967B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
作者: 板谷 和彦; 新田 康一; 波多腰 玄一; 西川 幸江; 菅原 秀人
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP3237870B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-10
作者: 板谷 和彦; 波多腰 玄一; 新田 康一
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP3144821B2, 申请日期: 2001-01-05, 公开日期: 2001-03-12
作者: 新田 康一; 石川 正行; 岡島 正季; 板谷 和彦; 波多腰 玄一
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| 窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利号: JP2000223779A, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-08-11
作者: 板谷 和彦; 布上 真也; 波多腰 玄一
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| 化合物半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2000183466A, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-06-30
作者: 藤本 英俊; 板谷 和彦; 西尾 譲司
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2997573B2, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 2000-01-11
作者: 西川 幸江; 新田 康一; 岡島 正季; 渡邊 実; 板谷 和彦
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| 化合物半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1999186650A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
作者: 板谷 和彦; 布上 真也; 石川 正行
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