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| 半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP3678769B2, 申请日期: 2005-05-20, 公开日期: 2005-08-03
作者: 小沢 正文; 中山 典一; 日野 智公
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP3470476B2, 申请日期: 2003-09-12, 公开日期: 2003-11-25
作者: 小沢 正文; 樋江井 太
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| 集積素子 专利
专利号: JP2003017717A, 申请日期: 2003-01-17, 公开日期: 2003-01-17
作者: 小沢 正文; 山内 淨; 谷口 正
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| 半導体素子および半導体発光素子 专利
专利号: JP1999126947A, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
作者: 小林 俊雅; 宮嶋 孝夫; 小沢 正文
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| III-V族化合物半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP1998125655A, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-05-15
作者: 小沢 正文
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1998022586A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23
作者: 小沢 正文; 中村 文彦; 河合 弘治
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| 半導体発光装置とその製造方法 专利
专利号: JP1997246655A, 申请日期: 1997-09-19, 公开日期: 1997-09-19
作者: 玉村 好司; 小沢 正文
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997167879A, 申请日期: 1997-06-24, 公开日期: 1997-06-24
作者: 東條 剛; 小沢 正文; 池田 昌夫
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997121073A, 申请日期: 1997-05-06, 公开日期: 1997-05-06
作者: 冨谷 茂隆; 小沢 正文; 伊藤 哲; 池田 昌夫
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| II-VI族化合物半導体成長用基板 专利
专利号: JP1996124854A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17
作者: 小沢 正文
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