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| 光半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP2950028B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20
作者: 中村 隆宏; 寺門 知二
  收藏 | 浏览/下载：50/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 光半導体素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2827411B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
作者: 寺門 知二; 味澤 昭; 山口 昌幸; 小松 啓郎
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 光双安定集積素子 专利
专利号: JP1994038539B2, 申请日期: 1994-05-18, 公开日期: 1994-05-18
作者: 寺門 知二; 藤原 雅彦
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1994061587A, 申请日期: 1994-03-04, 公开日期: 1994-03-04
作者: 寺門 知二
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 光電子集積回路の製造方法 专利
专利号: JP1994012809B2, 申请日期: 1994-02-16, 公开日期: 1994-02-16
作者: 寺門 知二
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 光双安定集積素子 专利
专利号: JP1994007623B2, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
作者: 寺門 知二
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1993304334A, 申请日期: 1993-11-16, 公开日期: 1993-11-16
作者: 寺門 知二
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/01/13 |
