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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 J—FET型トランジスタ装置 专利 专利号: JP3036600B2, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-04-24 作者:  鈴木 克弘;  矢島 弘義;  嶋田 潤一;  加藤 尚範;  下山 謙司 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 二方向注入型多モード発振半導体レーザ装置 专利 专利号: JP2958535B2, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-10-06 作者:  後藤 秀樹;  加藤 尚範;  下山 謙司 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 導波路を有する化合物半導体レーザー装置 专利 专利号: JP2781182B2, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-07-30 作者:  加藤 尚範;  後藤 秀樹;  下山 謙司;  長尾 哲;  井上 優一 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26