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光集積回路の製造方法 专利
专利号: JP3263949B2, 申请日期: 2001-12-28, 公开日期: 2002-03-11
作者:  小松 啓郎;  佐々木 達也;  加藤 友章;  水戸 郁夫
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半導体光集積素子およびその製造方法 专利
专利号: JP3067702B2, 申请日期: 2000-05-19, 公开日期: 2000-07-24
作者:  佐々木 達也
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光半導体集積回路 专利
专利号: JP2953368B2, 申请日期: 1999-07-16, 公开日期: 1999-09-27
作者:  浜本 貴一;  竹内 剛;  小松 啓郎;  田口 剣申;  佐々木 達也
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半導体光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1999103126A, 申请日期: 1999-04-13, 公开日期: 1999-04-13
作者:  畠山 大;  佐々木 達也
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半導体光集積素子の製造方法 专利
专利号: JP2842387B2, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1999-01-06
作者:  佐々木 達也
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光半導体素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2814906B2, 申请日期: 1998-08-14, 公开日期: 1998-10-27
作者:  北村 光弘;  佐々木 達也;  阪田 康隆
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光半導体素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1998178233A, 申请日期: 1998-06-30, 公开日期: 1998-06-30
作者:  佐々木 達也;  山崎 裕幸
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半導体光集積素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2780687B2, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-07-30
作者:  工藤 耕治;  佐々木 達也
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半導体レーザアレイの製造方法 专利
专利号: JP2727944B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18
作者:  佐々木 達也;  水戸 郁夫
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光半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP2725449B2, 申请日期: 1997-12-05, 公开日期: 1998-03-11
作者:  北村 光弘;  佐々木 達也
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