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半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法 专利
专利号: CN100546041C, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 2009-09-30
作者:  伊藤伸敏;  淀川正弘;  三和晋吉;  桥本幸市;  二上勉
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レーザ露光装置及び画像形成装置 专利
专利号: JP2008197503A, 申请日期: 2008-08-28, 公开日期: 2008-08-28
作者:  菊池 吉晃;  原田 吉和;  冨田 教夫;  伊藤 哲嗣;  白井 伸弘
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集光用光回路及び光源装置 专利
专利号: JP3932982B2, 申请日期: 2007-03-30, 公开日期: 2007-06-20
作者:  長谷川 和男;  市川 正;  松原 弘幸;  前田 光俊;  伊藤 博
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面発光半導体レーザ 专利
专利号: JP3469051B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-25
作者:  竹ノ内 弘和;  舘野 功太;  大礒 義孝;  伊藤 義夫;  天野 主税
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面発光型光源及びその製造方法、レーザ加工機用光源 专利
专利号: JP2002026452A, 申请日期: 2002-01-25, 公开日期: 2002-01-25
作者:  長谷川 和男;  伊藤 博;  松田 守弘
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集光光学系及びレーザ加工機用光源 专利
专利号: JP2002026466A, 申请日期: 2002-01-25, 公开日期: 2002-01-25
作者:  長谷川 和男;  伊藤 博;  松田 守弘
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半導体装置 专利
专利号: JP1994101582B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者:  伊藤 和弘;  松田 広志;  藤原 一郎;  長妻 一之;  大内 博文
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導波路型第二高調波発生素子とその製造方法 专利
专利号: JP1994230443A, 申请日期: 1994-08-19, 公开日期: 1994-08-19
作者:  楓 弘志;  川本 和民;  伊藤 顕知;  黒沢 久夫;  佐藤 正純
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導波路型第2高調波発生素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1994160927A, 申请日期: 1994-06-07, 公开日期: 1994-06-07
作者:  楓 弘志;  伊藤 顕知;  川本 和民;  立野 公男;  黒沢 久夫
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ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 专利
专利号: JP1993279193A, 申请日期: 1993-10-26, 公开日期: 1993-10-26
作者:  楓 弘志;  伊藤 顕知;  川本 和民;  黒沢 久夫;  伊藤 康平
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