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Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898
作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie
收藏  |  浏览/下载:74/0  |  提交时间:2019/11/10
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
收藏  |  浏览/下载:99/0  |  提交时间:2019/05/14
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
申请日期: 2018-05-15,
作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/08/06
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09
作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/08/06
Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 1-4
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Wei, Y (Wei, Ying);  Yu, XF (Yu, Xue-Feng);  Lu, W (Lu, Wu)
收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2018/05/07
Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Yu, XF (Yu, Xuefeng);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CF (He, Chengfa)
收藏  |  浏览/下载:48/0  |  提交时间:2018/05/15
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
作者:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹;  郭旗;  余学峰
收藏  |  浏览/下载:117/0  |  提交时间:2016/06/02
星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究 成果
新疆维吾尔自治区科学技术进步奖: 一等奖, 2015
主要完成人:  陆妩、任迪远、郭旗、余学峰、何承发、文林、孙静、李豫东、崔江维、吕小龙、胡江生、王嘉;  陆妩;  郭旗;  余学峰;  何承发
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2017/08/08
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256
作者:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2015/06/26
质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2015, 卷号: 44, 期号: S1, 页码: 35-40
作者:  汪波;  文林;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏;  王帆;  任迪远;  曾骏哲;  武大猷;  郭旗;  李豫东
收藏  |  浏览/下载:72/0  |  提交时间:2016/06/02


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