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サージ保護付き半導体レーザおよび光ピックアップ 专利
专利号: JP4031605B2, 申请日期: 2007-10-26, 公开日期: 2008-01-09
作者:  中田 直太郎
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模制型半导体激光器 专利
专利号: CN1325163A, 申请日期: 2001-12-05, 公开日期: 2001-12-05
作者:  中田直太郎
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
モールド型半導体レーザ 专利
专利号: JP2001291812A, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-10-19
作者:  中田 直太郎
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光源ユニット 专利
专利号: JP2989354B2, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-12-13
作者:  中田 直太郎;  青木 直史
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/23
投受光ユニットおよびそれを用いた光ピックアップ 专利
专利号: JP1998040571A, 申请日期: 1998-02-13, 公开日期: 1998-02-13
作者:  中田 直太郎;  石田 ▲祐▼士;  青木 直史
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2669502B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-29
作者:  田中 治夫;  中田 直太郎;  村西 正好;  宅間 裕晃
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半導体レ-ザ装置 专利
专利号: JP2579317B2, 申请日期: 1996-11-07, 公开日期: 1997-02-05
作者:  田中 治夫;  中田 直太郎;  村西 正好
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP1996264906A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
作者:  田中 治夫;  中田 直太郎;  虫上 雅人;  石田 ▲祐▼士;  深田 速水
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レーザダイオード 专利
专利号: JP2547465B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者:  田中 治夫;  中田 直太郎
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レーザダイオード 专利
专利号: JP2547466B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者:  田中 治夫;  中田 直太郎
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