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| サージ保護付き半導体レーザおよび光ピックアップ 专利 专利号: JP4031605B2, 申请日期: 2007-10-26, 公开日期: 2008-01-09 作者: 中田 直太郎
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| 模制型半导体激光器 专利 专利号: CN1325163A, 申请日期: 2001-12-05, 公开日期: 2001-12-05 作者: 中田直太郎
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| モールド型半導体レーザ 专利 专利号: JP2001291812A, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-10-19 作者: 中田 直太郎
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| 光源ユニット 专利 专利号: JP2989354B2, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-12-13 作者: 中田 直太郎; 青木 直史
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| 投受光ユニットおよびそれを用いた光ピックアップ 专利 专利号: JP1998040571A, 申请日期: 1998-02-13, 公开日期: 1998-02-13 作者: 中田 直太郎; 石田 ▲祐▼士; 青木 直史
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| 半導体レーザ 专利 专利号: JP2669502B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-29 作者: 田中 治夫; 中田 直太郎; 村西 正好; 宅間 裕晃
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| 半導体レ-ザ装置 专利 专利号: JP2579317B2, 申请日期: 1996-11-07, 公开日期: 1997-02-05 作者: 田中 治夫; 中田 直太郎; 村西 正好
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利 专利号: JP1996264906A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11 作者: 田中 治夫; 中田 直太郎; 虫上 雅人; 石田 ▲祐▼士; 深田 速水
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| レーザダイオード 专利 专利号: JP2547465B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23 作者: 田中 治夫; 中田 直太郎
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| レーザダイオード 专利 专利号: JP2547466B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23 作者: 田中 治夫; 中田 直太郎
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