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| 二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法 专利
专利号: CN1678772A, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2005-10-05
作者: 大谷茂树; 木下博之; 松波弘之; 须田淳; 天野浩
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| 氮化物半导体器件制造方法 专利
专利号: CN1170347C, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2004-10-06
作者: 木户口勋; 石桥明彦; 粂雅博; 伴雄三郎; 上山智
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| 半導体発光素子及び半導体発光装置 专利
专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
作者: 上山 智; 鈴木 政勝; 上野山 雄; 大仲 清司; 高森 晃
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP3246148B2, 申请日期: 2001-11-02, 公开日期: 2002-01-15
作者: 木戸口 勲; 足立 秀人; 上山 智; 大仲 清司
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP3206316B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10
作者: 上山 智; 大仲 清司; 上野山 雄; 鈴木 政勝
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| 半導體雷射元件 专利
专利号: TW413972B, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2000-12-01
作者: 上山智; 木戶口勳; 伴雄三郎; 長谷川義晃; 宮永良子
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| 半導体レ—ザ装置 专利
专利号: JP2000077795A, 申请日期: 2000-03-14, 公开日期: 2000-03-14
作者: 粂 雅博; 伴 雄三郎; 服藤 憲司; 木戸口 勲; 上山 智
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| 半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP2000068599A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
作者: 粂 雅博; 伴 雄三郎; 木戸口 勲; 上山 智; 辻村 歩
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| 半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置 专利
专利号: JP2000068610A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
作者: 足立 秀人; 木戸口 勲; 上山 智; 上野山 雄; 萬濃 正也
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| 半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2000058965A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者: 粂 雅博; 木戸口 勲; 伴 雄三郎; 上山 智; 辻村 歩
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