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A High Performance In0.7Ga0.3As MOSFET with an InP Barrier Layer for Radio-Frequency Application
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 30, 期号: 3
Chang, HD
;
Liu, GM
;
Sun, B
;
Zhao, W
;
Wang, WX
;
Liu, HG
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/01/16
Improvement of the surface quality of semi-insulating InP substrates through a novel etching and cleaning method
期刊论文
journal of vacuum science & technology a: vacuum, surfaces, and films, 2013, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 031404 - 031404-5
Jinming Liu, Youwen Zhao, Zhiyuan Dong, Fengyun Yang, Fenghua Wang
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/03/18
Ingaasp-inp square microlasers with a vertex output waveguide
期刊论文
Ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 18, 页码: 1370-1372
作者:
Che, Kai-Jun
;
Lin, Jian-Dong
;
Huang, Yong-Zhen
;
Yang, Yue-De
;
Xiao, Jin-Long
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Finite-difference time-domain (fdtd) simulation
Ingaasp-inp
Semiconductor microlasers
Square resonator
InGaAsP-InP Square Microlasers With a Vertex Output Waveguide
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 18, 页码: 1370-1372
Che KJ (Che Kai-Jun)
;
Lin JD (Lin Jian-Dong)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Xiao JL (Xiao Jin-Long)
;
Du Y (Du Yun)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/14
Finite-difference time-domain (FDTD) simulation
InGaAsP-InP
semiconductor microlasers
square resonator
RESONATOR MICROLASERS
DIRECTIONAL EMISSION
LASERS
Integratable and high speed complex-coupled mqw-dfb lasers fabricated on semi-insulating substrates
期刊论文
Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 4
作者:
Cheng Yuan-Bing
;
Wang Yang
;
Sun Yu
;
Pan Jiao-Qing
;
Bian Jing
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Integratable and High Speed Complex-Coupled MQW-DFB Lasers Fabricated on Semi-Insulating Substrates
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 054206
作者:
Wang Y
;
Pan JQ
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浏览/下载:51/2
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL
ELECTROABSORPTION MODULATOR
INP SUBSTRATE
OPERATION
LAYER
InP-base resonant tunneling diodes
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 48-50
作者:
Zhang Yang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
Buried type semiconductor laser
专利
专利号: US20080049805A1, 申请日期: 2008-02-28, 公开日期: 2008-02-28
作者:
TAKIGUCHI, TOHRU
;
WATATANI, CHIKARA
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提交时间:2020/01/18
Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing
期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554
作者:
Zhao, Y. W.
;
Dong, Z. Y.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Defect
Annihilation of deep level defects in InP through high temperature annealing
期刊论文
journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 39847, 页码: 551-554
Zhao, YW
;
Dong, ZY
收藏
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浏览/下载:39/2
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提交时间:2010/03/08
defect
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