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Effect of charge coupling on breakdown voltage of high voltage trench-gate-type super barrier rectifier 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70
作者:  Xu Da-Lin;  Wang Yu-Qi;  Li Xin-Hua;  Shi Tong-Fei
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2021/04/26
Ion implantation isolation based micro-light-emitting diode device array properties 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2020, 卷号: 69, 期号: 2, 页码: 7
作者:  C. H. Gao,F. Xu,L. Zhang,D. S. Zhao,X. Wei,L. J. Che,Y. Z. Zhuang,B. S. Zhang and J. Zhang
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/07/06
Development of a double-sided silicon strip detector for HIRFL-CSR experiments 期刊论文
JOURNAL OF INSTRUMENTATION, 2019, 卷号: 14, 页码: 7
作者:  Li, R.;  Wang, X.;  Li, H.;  Chen, C.;  Zu, K.
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/07/13
High-voltage vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode using fluorine ion implantation treatment 期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 5
作者:  Liu, Zirui;  Wang, Jianfeng;  Gu, Hong;  Zhang, Yumin;  Wang, Weifan
收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2019/12/26
Reduced reverse gate leakage current for GaN HEMTs with 3 nm Al/40 nm SiN passivation layer 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: Vol.114 No.1
作者:  Zhang, Sheng;  Wei, Ke;  Ma, Xiao-Hua;  Hou, Bin;  Liu, Guo-Guo
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17
Reduced reverse gate leakage current for GaN HEMTs with 3 nm Al/40 nm SiN passivation layer. 期刊论文
Applied Physics Letters, 2019, 卷号: Vol.114 No.1
作者:  Zhang, Sheng;  Wei, Ke;  Ma, Xiao-Hua;  Hou, Bin;  Liu, Guo-Guo
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/17
Reduced reverse gate leakage current for GaN HEMTs with 3 nm Al/40 nm SiN passivation layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2019, 卷号: Vol.114 No.1, 页码: 013503
作者:  Sheng Zhang;  Ke Wei;  Xiao-Hua Ma;  Bin Hou;  Guo-Guo Liu
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13
Enhanced response of bulk heterojunction polymer photodetectors upon incorporating CsPbBr3 quantum dots 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 113, 期号: 25, 页码: 4
作者:  Meng, Fanxu;  Wang, Hsing-Lin;  Zeng, Qinghui;  Ma, Pengfei;  Wang, Changchun
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/22
Analysis of reverse leakage current mechanism of AlGaN/GaN HEMTs with N2 Plasma ssurface treatment 期刊论文
solid-state electronics, 2018
作者:  Zhang ZJ(张宗敬);  Liu H(刘辉);  Luo WJ(罗卫军)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/19

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