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Understanding and modulation of resistive switching behaviors in PbZr0.52Ti0.48O3/La0.67Sr0.33MnO3/Nb:SrTiO3 multilayer junctions
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 卷号: 574, 页码: 11
作者:
Zheng, Hang Yu
;
Bai, Yu
;
Shao, Yan
;
Yu, Hai Yi
;
Chen, Bing
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2022/07/01
Ferroelectric multilayer junction
Resistive switching
Ferroelectric field effect
Depletion layer width
A Solution-Processed All-Perovskite Memory with Dual-Band Light Response and Tri-Mode Operation
期刊论文
Advanced Functional Materials, 2022, 卷号: 32, 期号: 16, 页码: 12
作者:
X. W. Guan
;
T. Wan
;
L. Hu
;
C. H. Lin
;
J. L. Yang
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2023/06/14
Effects of high energy heavy ion irradiation on resistive switches
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2020, 卷号: 231, 页码: 6
作者:
Guo, Xiangyu
;
Liu, Jiande
;
Wang, Qi
;
He, Deyan
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2021/12/15
Resistive switching
High energy heavy ion
Concentrated defects
Switching behavior
Ultralow operation voltages of a transparent memristor based on bilayer ITO
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 116, 期号: 22
作者:
Wang, Yuchen
;
Hu, Lingxiang
;
Wei, Xianhua
;
Zhuge, Fei
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2020/12/16
INDIUM-TIN-OXIDE
PLASTICITY
MECHANISMS
MEMORIES
Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures
期刊论文
SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13
作者:
Wang, Zhan Jie
;
Bai, Yu
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2021/02/02
conductivity
ferroelectric heterostructures
ferroelectricity
resistive switching
Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures
期刊论文
SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13
作者:
Wang, Zhan Jie
;
Bai, Yu
收藏
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浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2021/02/02
conductivity
ferroelectric heterostructures
ferroelectricity
resistive switching
Bipolar resistive switching effect and mechanism of solution-processed orthorhombic Bi2SiO5 thin films
期刊论文
2019, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 987
作者:
Chen, Ruqi[1,2]
;
Hu, Wei[2,3]
;
Zou, Lilan[2,4]
;
Ke, Yifu[2]
;
Hao, Aize[2]
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/26
Effect of crystalline state on conductive filaments forming process in resistive switching memory devices
期刊论文
Materials Today Communications, 2019, 卷号: 20, 期号: 5
作者:
T.Guo
;
H.Elshekh
;
Z.Yu
;
B.Yu
;
D.Wang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/08/24
Cu(In, Ga)Se-2,Crystalline state,Conductive filaments,Memory device,current-voltage characteristics
Tunneling of photon-generated carrier in the interface barrier induced resistive switching memory behaviour
期刊论文
Journal of Colloid and Interface Science, 2019, 卷号: 553, 页码: 682-687
作者:
B.Sun
;
T.Guo
;
G.D.Zhou
;
S.Ranjan
;
W.T.Hou
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2020/08/24
Resistive switching,Tunneling,Photon-generated carrier,Schottky,barrier,Memory device,wo3 nanoflakes,resistance,mechanism,device,Chemistry
Electronic Devices and Circuits Based on Wafer-Scale Polycrystalline Monolayer MoS2 by Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 10
作者:
L.Wang
;
L.Chen
;
S.L.Wong
;
X.Huang
;
W.G.Liao
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提交时间:2020/08/24
chemical vapor deposition (CVD),integrated circuits,memory,MoS2,transistors,transition-metal dichalcogenides,graphene transistors,integrated-circuits,phase growth,mobility,layers,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Physics
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