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金属研究所 [1]
苏州纳米技术与纳米仿... [1]
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期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2021 [1]
2015 [1]
2014 [2]
2002 [2]
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Effect of pH and NaF addition on corrosion of Zr-based bulk metallic glass in Na2SO4-containing solution
期刊论文
INTERMETALLICS, 2021, 卷号: 129, 页码: 12
作者:
Qiu, Zhang-wei-jia
;
Li, Zheng-kun
;
Fu, Hua-meng
;
Zhang, Long
;
Zhu, Zheng-wang
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2021/03/15
Metallic glass
Zirconium
Corrosion behaviour
NaF
Passivation
Investigation on the reduced critical breakdown field of hot CO2 gas and CO2-based mixtures
会议论文
作者:
Chen, Zhexin
;
Niu, Chunping
;
Zhang, Hantian
;
Sun, Hao
;
Wu, Yi
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浏览/下载:101/0
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提交时间:2019/12/02
reduced critical breakdown field
EEDF
Boltzmann transport equation
electron scattering cross sections
species compositions
Current-driven domain wall motion enhanced by the microwave field
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 116, 期号: 2
作者:
Ceng ZM(曾中明)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2014/12/02
FERROMAGNETIC NANOWIRE
SHIFT
Prediction of the critical reduced electric field strength for carbon dioxide and its mixtures with 50% O-2 and 50% H-2 from Boltzmann analysis for gas temperatures up to 3500K at atmospheric pressure
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 47, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:
Zhao, Hu
;
Li, Xingwen
;
Jia, Shenli
;
Murphy, Anthony B.
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/03
dielectric breakdown
critical reduced electric field strength
electron energy distribution function
A new analytical model for the surface field distribution and optimization of thin film SOI RESURF devices
期刊论文
international journal of electronics, 2002
He, J
;
Zhang, X
;
Wang, YY
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/11/10
BREAKDOWN VOLTAGE
MOSFETS
A concise analytical model for the surface field distribution of TFSOI RESURF devices including interface charge effect
期刊论文
chinese journal of electronics, 2002
He, J
;
Zhang, X
;
Huang, R
;
Wang, YY
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
thin film silicon-on-insulator (TFSOI)
reduced surface field (RESURF)
power devices
surface field
interface charge
breakdown voltage
BREAKDOWN VOLTAGE
SOI
MOSFETS
FILM
TFSOI RESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型
期刊论文
半导体学报, 2001
何进
;
张兴
;
黄如
;
王阳元
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/10/23
TFSOI RESURF器件
表面电场分布
电势分布
击穿电压
优化设计
Novel analytical model for surface electric field distribution and optimization of TFSOI RESURF devices
期刊论文
pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2001
He, Jin
;
Zhang, Xing
;
Huang, Ru
;
Wang, Yang-Yuan
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/17
Analytical model for the ideal breakdown voltage and optimum doping profile of SOI RESURF LDMOS
期刊论文
chinese journal of electronics, 2001
He, J
;
Zhang, X
;
Huang, R
;
Wang, YY
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
LDMOS
breakdown voltage
silicon-on-insulator (SOI) reduced surface field
(RESURF) structure
optimum doping profile
power device
high voltage power integration circuits (HVIC)
DEVICES
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