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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文 Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828 J. C. Sun; Q. J. Feng; J. M. Bian; D. Q. Yu; M. K. Li; C. R. Li; H. W. Liang; J. Z. Zhao; H. Qiu; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/13 p-ZnO:N/n-GaN:Si hererojunction  LED  UV electroluminescence  MOCVD  chemical-vapor-deposition  zinc-oxide  n-zno  nitrogen  films  fabrication  substrate   Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2011, 卷号: 131, 页码: 825-828 作者:  Sun, Jingchang;  Feng, Qiuju;  Bian, Jiming;  Yu, Dongqi;  Li, Mengke 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/18 p-ZnO:N/n-GaN:Si hererojunction  LED  UV electroluminescence  MOCVD