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磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者:  周书星1;  方仁凤1;  魏彦锋1;  陈传亮1;  曹文彧1
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2022/02/18
Compact and Efficient Wideband Variable Gain LNA MMIC on InGaAs pHEMT 会议论文
PROCEEDINGS OF 2019 16TH INTERNATIONAL BHURBAN CONFERENCE ON APPLIED SCIENCES AND TECHNOLOGY (IBCAST), 2019-01-01
作者:  Dilshad, Umar;  Chen, Chen;  Miao, Jungang
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30
Degradation in AlGaN/GaN HEMTs irradiated with swift heavy ions: Role of latent tracks 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 430, 页码: 59-63
作者:  Hu, P. P.;  Liu, J.;  Zhang, S. X.;  Maaz, K.;  Zeng, J.
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/10/08
基于p-GaN处理工艺的GaN基增强型HEMT研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  李喜林
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/05/29
Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4
作者:  Li, Jin-Lun;  Cui, Shao-Hui;  Xu, Jian-Xing;  Cui, Xiao-Ran;  Guo, Chun-Yan
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/05/14
10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current 期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:  Wang, Qilong;  Zhang, Bingliang;  Du, Zhongkai;  Zhao, Jie(赵杰);  Chen, Fu(陈扶)
收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2019/03/27
一种具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-12-18
作者:  黄火林;  李飞雨;  陶鹏程;  孙仲豪;  曹亚庆
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/02
绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术 期刊论文
电力电子技术, 2017
作者:  黄森;  康玄武;  王鑫华;  刘新宇
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/05/15
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏  |  浏览/下载：437/0  |  提交时间：2017/06/05
p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process 期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017
作者:  Zhou, Yu（周宇）;  Zhong, Yaozong;  Gao, Hongwei（高宏伟）;  Dai, Shujun;  He, Junlei
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/02/05

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