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半导体研究所 [6]
上海微系统与信息技术... [1]
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Chemical/Light‐Powered Hybrid Micromotors with “On‐the‐Fly” Optical Brakes
期刊论文
Angewandte Chemie International Edition, 2018, 卷号: 57, 期号: 27, 页码: 8110-8114
作者:
Chen, Chuanrui
;
Tang, Songsong
;
Teymourian, Hazhir
;
Karshalev, Emil
;
Zhang, Fangyu
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/04
chemical propulsion
Janus micromotors
optical brakes
photocatalytic reactions
Characteristics of Sn-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase-change memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2929-2932
Xu, C
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
ION-BEAM METHOD
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
CELL-ELEMENT
RESISTANCE
IMPLANTATION
TRANSITION
ALLOYS
MEDIA
Resonant tunneling theory of planar quantum dot structures
期刊论文
physical review b, 2003, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: art.no.075310
Xia JB
;
Li SS
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
WAVE-GUIDES
SPECTROSCOPY
CONDUCTANCE
TRANSPORT
RINGS
Influence of transverse interdot coupling on transport properties of an Aharonov-Bohm structure composed by two dots and two reservoirs
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 20, 页码: art.no.205306
Jiang ZT
;
You JQ
;
Bian SB
;
Zheng HZ
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
DOUBLE-QUANTUM-DOT
ARTIFICIAL MOLECULE
RATE-EQUATIONS
RING
INTERFERENCE
SPECTROSCOPY
OSCILLATIONS
CONDUCTANCE
INTRADOT
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:84/5
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提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
CONTACT
LASER
Electron transport through a double-quantum-dot structure with intradot and interdot Coulomb interactions
期刊论文
physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 19, 页码: 13314-13317
You JQ
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
RENORMALIZATION-GROUP
CONDUCTANCE
SPECTROSCOPY
MOLECULE
STATES
SYSTEM
Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices
期刊论文
microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 349-354
作者:
Liu J
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2010/08/12
GaAs/AlAs
superlattices
transport
tunnelling
Landau level
LOW-FIELD MOBILITY
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
CONDUCTANCE
TRANSPORT
LOCALIZATION
MINIBANDS
NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY
Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices
会议论文
2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997
作者:
Liu J
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
GaAs/AlAs
superlattices
transport
tunnelling
Landau level
NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY
LOW-FIELD MOBILITY
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
CONDUCTANCE
TRANSPORT
LOCALIZATION
MINIBANDS
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