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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Carbonization process of si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450 作者:  Liao, MY;  Chai, CL;  Yao, ZY;  Yang, SY;  Liu, ZK 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Growth models  Ion bombardment  Reflection high energy electron diffraction  Physical vapor phase deposition  Semiconducting silicon compounds   Influence of ion energy and deposition temperature on the surface morphology of carbon films deposited by ion beams 期刊论文 Acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324-1328 作者:  Liao, MY;  Qin, FG;  Chai, CL;  Liu, ZK;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Amorphous carbon  Surface morphology  Mass-selected low energy ion beam deposition   Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985 作者:  Liao, MY;  Qin, FG;  Zhang, JH;  Liu, ZK;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450 Liao MY; Chai CL; Yao ZY; Yang SY; Liu ZK; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：83/8  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  growth models  ion bombardment  reflection high energy electron diffraction  physical vapor phase deposition  semiconducting silicon compounds  CUBIC GAN  GROWTH  DEPOSITION  EPITAXY  SILICON  DIAMOND   Influence of ion energy and deposition temperature on the surface morphology of carbon films deposited by ion beams 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324-1328 Liao MY; Qin FG; Chai CL; Liu ZK; Yang SY; Yao ZY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：127/13  |  提交时间：2010/08/12 amorphous carbon  surface morphology  mass-selected low energy ion beam deposition  TETRAHEDRAL AMORPHOUS-CARBON  BIAS-ENHANCED NUCLEATION  ATOMIC-FORCE MICROSCOPY  DIAMOND-LIKE CARBON  SILICON  GROWTH  MODEL   Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985 Liao MY; Qin FG; Zhang JH; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 BIAS-ENHANCED NUCLEATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BEAM DEPOSITION  MECHANISM  SILICON  SPECTROSCOPY   Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect 期刊论文 Acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186-2190 作者:  Liao, MY;  Zhang, JH;  Qin, FG;  Liu, ZK;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Amorphous carbon  Ion bombardment  Mass-selected low energy ion beam   Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect 期刊论文 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186-2190 Liao MY; Zhang JH; Qin FG; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous carbon  ion bombardment  mass-selected low energy ion beam  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BIAS-ENHANCED NUCLEATION  DIAMOND FILMS  RAMAN-SCATTERING  GROWTH  SILICON  MECHANISM   CONSTRUCTION AND APPLICATIONS OF A DUAL MASS-SELECTED LOW-ENERGY ION-BEAM SYSTEM 期刊论文 review of scientific instruments, 1991, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 2322-2325 QIN FG; WANG XM; LIU ZK; YAO ZY; REN ZZ; LIN LY; SU SJ; JIANG WS; LAU WM 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 THIN-FILM DEPOSITION  VAPOR-PHASE  GROWTH  EPITAXY  DIAMOND