×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [4]
上海应用物理研究所 [1]
西安理工大学 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2019 [1]
2018 [1]
2013 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2000 [2]
更多...
学科主题
光电子学 [2]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
低温生长铝镓砷光折变效应的研究
期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:
钟梓源
;
何凯
;
苑云
;
汪韬
;
高贵龙
收藏
  |  
浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2019/09/24
光折变
铝镓砷
泵浦-探测
载流子寿命
An Experimental Study on LT-GaAs Photoconductive Antenna Breakdown Mechanism
期刊论文
2018, 卷号: 65, 页码: 1043-1047
作者:
Ma, Cheng
;
Yang, Lei
;
Dong, Chengang
;
Wang, Shaoqiang
;
Shi, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/12/20
Breakdown
low-temperature-grown gallium arsenide (LT-GaAs)
photoconductive antenna (PCA)
terahertz (THz)
thermal effect
THz wave emission of GaAs induced by He+ ion implantation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2013, 卷号: 307, 页码: CONCATENATE(Sheet1!I377,-Sheet1!J377)
Yang, Kang
;
Cao, Jianqing
;
Huang, Can
;
Ji, Te
;
Zhang, Zengyan
;
Liu, Qi
;
Wu, Shengwei
;
Lin, Jun
;
Zhao, Hongwei
;
Zhu, Zhiyong
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2014/06/13
High repetition rate Q-switched microchip Nd:YVO4 laser with pulse duration as short as 1.1 ns
期刊论文
optik, 2008, 卷号: 119, 期号: 14, 页码: 657-660
Peng, JY
;
Tan, HM
;
Wang, YG
;
Ma, XY
;
Miao, JG
;
Wang, BS
;
Qian, LS
收藏
  |  
浏览/下载:58/2
  |  
提交时间:2010/03/08
Microchip laser
Q-switched
High repetition rate
Lt In0.25Ga0.75As
GaAs
GaAs absorber grown at low temperature used in passively Q-switched diode pumped solid state laser
期刊论文
optica applicata, 2006, 卷号: 36, 期号: 1, 页码: 23-28
Wang YG (Wang Yonggang)
;
Ma XY (Ma Xiaoyu)
;
Wang CL (Wang Cuiluan)
;
Lin T (Lin Tao)
;
Zhen K (Zhen Kai)
;
Wang J (Wang Jun)
;
Zhong L (Zhong Li)
;
Jia YL (Jia YuLei)
;
Wei ZY (Wei ZhiYi)
收藏
  |  
浏览/下载:82/0
  |  
提交时间:2010/04/11
GaAs
low temperature
Q-switch
Nd : YVO4 laser
YAG
Effect of rapid thermal annealing on GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 9, 页码: 1280-1282
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Ge W
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/08/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LASER
OPERATION
GAAS
Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359
Zhang MH
;
Han YJ
;
Zhang YH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Wang WX
;
Zhou JM
;
Lu LW
收藏
  |  
浏览/下载:68/0
  |  
提交时间:2010/08/12
LT-GaAs
LT MQWs
defect
photoluminescence
electroabsorption
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
RECOMBINATION
DYNAMICS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace