QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Research on high-voltage 4H-SiC P-i-N diode with planar edge junction termination techniques 期刊论文 中国物理B, 2011, 卷号: 第20卷 第6期, 页码: 370-375 作者:  Zhang FS(张发生);  Li XR(李欣然) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/05 silicon carbide  P–i–N diode  junction termination technique  simulation  breakdown voltage   Research on high-voltage 4H—SiC P—i—N diode with planar edge junction termination techniques 期刊论文 Chinese Physics B, 2011, 卷号: Vol.20 No.6, 页码: 67102 作者:  Zhang, Fa-Sheng;  Li, Xin-Ran 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 silicon carbide  P-i-N diode  junction termination technique  simulation  breakdown voltage   Research on high-voltage 4H–SiC P–i–N diode with planar edge junction termination techniques 期刊论文 Chinese Physics B, 2011, 卷号: Vol.20 No.6, 页码: 067102 作者:  Zhang, FS;  Li, XR 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 silicon carbide  P-i-N diode  junction termination technique  simulation  breakdown voltage   Research on high-voltage 4H-SiC P-i-N diode with planar edge junction termination techniques 期刊论文 Chinese Physics B, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 067102-1-067102-6 作者:  Zhang Fa-Sheng*;  Li Xin-Ran 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/28 silicon carbide  P-i-N diode  junction termination technique  simulation  breakdown voltage