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A study on repeatable and universal growth morphology optimization for nanowires grown on Si substrates 期刊论文
Vacuum, 2022, 卷号: 201
作者:  Wang, Xiaoye;  Bai, Xue;  Yang, Xiaoguang;  Du, Wenna;  Yang, Tao
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Controlled growth of two-dimensional InAs single crystals via van der Waals epitaxy 期刊论文
NANO RESEARCH, 2022, 页码: 6
作者:  Dai, Jiuxiang;  Yang, Teng;  Jin, Zhitong;  Zhong, Yunlei;  Hu, Xianyu
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2022/07/14
1 meV electron irradiation and post-annealing effects of GaInAsN diluted nitride alloy with 1 eV bandgap energy 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2020, 卷号: 709, 期号: 9, 页码: 1-5
作者:  Sailai, M (Sailai, Momin)[ 1 ];  Lei, QQ (Lei, Qi Qi)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 1,3 ];  Heini, M (Heini, Maliya)[ 1,4 ];  Zhao, XF (Zhao, Xiao Fan)[ 1 ]
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/10/23
Extracting more light for vertical emission: high power continuous wave operation of 1.3-m quantum-dot photonic-crystal surface-emitting laser based on a flat band 期刊论文
Light: Science and Applications, 2019, 卷号: 8, 期号: 1
作者:  H.-Y.Lu;  S.-C.Tian;  C.-Z.Tong;  L.-J.Wang;  J.-M.Rong
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/08/24
Near-infrared methane sensor based on a distributed feedback laser 期刊论文
Spectroscopy Letters, 2019, 卷号: 52, 期号: 2, 页码: 113-120
作者:  J.N.Wang;  B.Li;  G.Y.Lin;  Q.J.Ma;  S.R.Wang
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/08/24
Experimental investigation of loss and gain characteristics of an abnormal InxGa1-xAs/GaAs quantum well structure 期刊论文
CHINESE OPTICS LETTERS, 2018, 卷号: 16
作者:  Jia, Yan;  Yu, Qingnan;  Li, Fang;  Wang, Mingqing;  Lu, Wei
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30
Effects of nuisance variables selection on target localisation accuracy in multistatic passive radar 期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018, 卷号: 54, 页码: 1139-1140
作者:  Wang, Jun;  Qin, Zhaotao;  Wei, Shaoming;  Sun, Zhongsheng;  Xiang, Hong
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30
AlGaInP-based semiconductor laser 专利
专利号: US9425583, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2016-08-23
作者:  HAGIMOTO, MASATO;  FUKAI, HARUKI;  KIYOSUMI, TSUTOMU;  SASAKI, SHINJI;  KAWANAKA, SATOSHI
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具有高热波长调谐效率的可调激光器 专利
专利号: CN105409071A, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2016-03-16
作者:  陈宏民;  颜学进;  苗容生;  沈晓;  刘宗荣
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A detailed first principle study on the structural, elastic, and electronic properties of indium arsenide (InAs) under induced pressure 期刊论文
2016, 卷号: 94, 期号: 3, 页码: 254
作者:  Kabita, Kh.[1];  Jameson, M.[1];  Sharma, B. I.[1];  Brojen, R. K.[2];  Thapa, R. K.[3]
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