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内容类型
期刊论文 [16]
发表日期
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2013 [1]
2011 [1]
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2008 [1]
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Excitonic transitions in Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum well
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 4
作者:
Zheng, Wei-Min
;
Li, Su-Mei
;
Cong, Wei-Yan
;
Wang, Ai-Fang
;
Li, Bin
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/16
GaAs/GaAlAs mulitiple quantum wells
heavy- and light-hole excitons
photoluminescence spectra
variational calculation
Excitonic transitions in Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum well
期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 期号: 04, 页码: 334-338
作者:
Zheng WM(郑卫民)
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/16
Ga As/Ga Al As mulitiple quantum wells
heavy-and light-hole excitons
photoluminescence spectra
variational calculation
Blue Host Materials for Phosphorescent Organic Light-Emitting Diodes
期刊论文
化学进展, 2013
Ma Zhijun
;
Lei Ting
;
Pei Jian
;
Liu Chenjiang
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/16
organic electroluminescent materials
blue phosphorescent host materials
phosphorescent organic light-emitting diodes (PhOLEDs)
EFFICIENT BLUE
TRIPLET-ENERGY
BIPOLAR HOST
ELECTROPHOSPHORESCENT DEVICES
QUANTUM EFFICIENCY
PHOSPHINE OXIDE
OLEDS
DERIVATIVES
LAYER
CARBAZOLE
Electronic band structures and electron spins of inas/gaas quantum dots induced by wetting-layer fluctuation
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Ning, J. Q.
;
Xu, S. J.
;
Ruan, X. Z.
;
Ji, Yang
;
Zheng, H. Z.
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Optical properties of light-hole excitons in GaN epilayers
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 11
作者:
Yang H (杨辉)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2011/03/11
Optical properties of light-hole excitons in GaN epilayers
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 11, 页码: article no.116103
Zhang F
;
Xu SJ
;
Ning JQ
;
Zheng CC
;
Zhao DG
;
Yang H
;
Che CM
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浏览/下载:45/3
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提交时间:2011/07/05
TRANSITIONS
ABSORPTION
Photoluminescence properties of tensile-strained gaasp/gainp single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
Japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031
作者:
Zhong, Li
;
Ma, Xaoyu
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Tensile strain
Gaasp/gainp
Photoluminescence
Quantum well
Laser diodes
Lp-mocvd
Large g factors of higher-lying excitons detected with reflectance difference spectroscopy in gaas-based quantum wells
期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 5, 页码: 3
作者:
Chen, Y. H.
;
Ye, X. L.
;
Xu, B.
;
Wang, Z. G.
;
Yang, Z.
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Exciton states of vertically stacked self-assembled inas quantum disks in an axial magnetic field
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 230-234
作者:
Dong, QR
;
Li, SS
;
Niu, ZC
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Exciton states
Quantum disks
Magnetic field
Large g factors of higher-lying excitons detected with reflectance difference spectroscopy in GaAs-based quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 5, 页码: art.no.051903
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Yang Z (Yang Z.)
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/04/11
EXCHANGE INTERACTION
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