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A 10kV 4H-SiC PiN Diode with Gradual Doping Buffer Layers and p plus Adjusting Regions at Cathode
会议论文
2018 1ST WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS IN ASIA (WIPDA ASIA), 2018-01-01
作者:
Wang, Cailin
;
Su, Le
;
Zhang, Lei
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提交时间:2019/12/20
4H-SiC
PiN Diode
adjusting region
gradual varied doping
La-doped BiFeO3: Synthesis and multiferroic property study
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 4
Lin, PT
;
Li, X
;
Zhang, L
;
Yin, JH
;
Cheng, XW
;
Wang, ZH
;
Wu, YC
;
Wu, GH
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/04/14
multiferroic
BiFeO3
ferromagnetism
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