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Effects of Ultrathin AlAs Interfacial Layer on Photoluminescence Properties of GaInP Epilayer Grown on Ge
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 卷号: 45, 期号: 1
作者:
Chen, JX(陈俊霞)
;
He, W
;
Jia, SP
;
Jiang, DS
;
Lu, SL(陆书龙)
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浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Structural and optical properties of GaInP grown on germanium by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 12
W. He, S. L. Lu, J. R. Dong, Y. M. Zhao, X. Y. Ren, K. L. Xiong, B. Li, H. Yang, H. M. Zhu, X. Y. Chen and X. Kong
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/11/02
solar-cells
phase epitaxy
gaas/ge heterostructures
temperature-dependence
ga0.5in0.5p
photoluminescence
ga0.52in0.48p
disorder
movpe
多重量子井戸型半導体発光素子
专利
专利号: JP4069479B2, 申请日期: 2008-01-25, 公开日期: 2008-04-02
作者:
玉村 好司
;
野口 裕泰
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/26
Optical properties of highly disordered InGaP by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 14
Shang, XZ
;
Guo, LW
;
Wu, SD
;
Niu, PJ
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/09/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
TEMPERATURE
GAINP
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
GA0.52IN0.48P
DEPENDENCE
ENERGY
GROWTH
Time-resolved photoluminescence study of Ga052In048P alloys
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1140/epjb/e2002-00213-y, 2002
Zeng,XR
;
Sang,HY
;
Cai,ZG
;
Zheng,JS
;
Lu,YJ
;
Gao,YL
;
吕毅军
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAINP
TEMPERATURE
DEPENDENCE
GROWTH
Time-resolved photoluminescence study of Ga052In048P alloys
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1140/epjb/e2002-00213-y, 2002
Zeng,XR
;
Sang,HY
;
Cai,ZG
;
Zheng,JS
;
Lu,YJ
;
Gao,YL
;
吕毅军
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2013/12/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAINP
TEMPERATURE
DEPENDENCE
GROWTH
X-ray study of antiphase boundaries in the quadruple-period ordered GaAs0.87Sb0.13 alloy
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 90, 期号: 2, 页码: 644
Zhong, ZY
;
Holy, V
;
Li, JH
;
Kulik, J
;
Bai, J
;
Golding, TD
;
Moss, SC
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/23
LONG-RANGE ORDER
GA0.52IN0.48P ALLOYS
GAINP
MICROSTRUCTURE
EPITAXY
PHASE
Investigation on photoluminescence of ordered structure in the (AlxGa1-x)(051)In-049(x=029) alloys
期刊论文
2000
Zheng,JS
;
Lu,YJ
;
Gao,YL
;
吕毅军
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2013/12/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
GA0.52IN0.48P
INTENSITY
PHOTOLUMINESCENCE OF ORDERED GA0.5IN0.5P GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
期刊论文
applied physics letters, 1995, 卷号: 67, 期号: 11, 页码: 1573-1575
DONG JR
;
WANG ZG
;
LIU XL
;
LU DC
;
WANG D
;
WANG XH
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
DEPOSITION
RECOMBINATION
GA0.52IN0.48P
SPECTROSCOPY
TEMPERATURE
EXCITATION
SPECTRUM
GAINP
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