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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and Characterization of Gate-Last Self-Aligned AlN/GaN MISHEMTs With In Situ SiNx Gate Dielectric 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 1862-1869 作者:  Lu, Xing;  Ma, Jun;  Jiang, Huaxing;  Liu, Chao;  Xu, Peiqiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02 in situ SiNx  benzocyclobutene (BCB) planarization  MISHEMT  gate-last self-aligned  RF  AlN/GaN  source/drain (S/D) regrowth  high-temperature