QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-concentration hydrogen in unintentionally doped gan 期刊论文 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 189, 页码: 566-569 作者:  Zhang, JP;  Wang, XL;  Sun, DZ;  Li, XB;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride  Gas source molecular beam epitaxy  Hydrogen  Autodoping   High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 189, 期号: 0, 页码: 566-569 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Li XB; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  gas source molecular beam epitaxy  hydrogen  autodoping  FILMS   High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN 会议论文 2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Li XB; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 gallium nitride  gas source molecular beam epitaxy  hydrogen  autodoping  FILMS   COMPARISON OF PROPERTIES OF SOLID-PHASE EPITAXIAL SILICON-ON-SAPPHIRE FILMS RECRYSTALLIZED BY RAPID THERMAL ANNEALING AND FURNACE ANNEALING 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 29, 期号: 0, 页码: 43-46 WANG QY; ZAN YD; WANG JH; YU YH 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/17 SILICON ON SAPPHIRE  RAPID THERMAL ANNEALING  SOLID PHASE EPITAXY   ALUMINUM AUTODOPING PROFILE OF SOS FILMS 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 1985, 卷号: 3, 期号: 9-10, 页码: 372-374 CHEN, QG; CAI, XJ; SHI, RH; WANG, Q; LU, DY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/25 Heterojunction devices 专利 专利号: GB1499561A, 申请日期: 1978-02-01, 公开日期: 1978-02-01 作者:  - 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24