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等离子体物理::等离... [1]
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Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728
作者:
Xie, Ruiliang
;
Yang, Xu
;
Xu, Guangzhao
;
Wei, Jin
;
Wang, Yuru
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2019/11/19
Analytical approach
GaN HEMTs
Junction capacitances
Physical behaviors
Schottky junctions
Switching transient
Terminal measurements
Threshold-voltage instabilities
Switching transient analysis for normally-Off GaN transistors with p-GaN gate in a phase-Leg circuit
会议论文
作者:
Xie, Ruiliang
;
Xu, Guangzhao
;
Yang, Xu
;
Wang, Hanxing
;
Tian, Mofan
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/11/26
Analysis approach
Dynamic behaviors
Gallium Nitride (GaN)
Gan transistors
Intrinsic capacitance
Static measurements
Switching transient
Threshold-voltage instabilities
Charge Trapping Model for Temporal Threshold Voltage Shift in a-IGZO TFTs Considering Variations of Carrier Density in Channel and Electric Field in Gate Insulator
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
Wang, Lisa Ling
;
He, Hongyu
;
Liu, Xiang
;
Deng, Wei
;
Zhang, Shengdong
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Channel carrier density
oxide electric field
thin-film transistors (TFTs)
threshold voltage shift
THIN-FILM TRANSISTORS
BIAS-STRESS
CONDUCTION
INSTABILITIES
Characterization of a steam plasma jet at atmospheric pressure
期刊论文
plasma sources science & technology, 2012
作者:
Zhao, P
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/07/09
Study on the instability of organic field-effect transistors based on fluorinated copper phthalocyanine
期刊论文
thin solid films, 2004, 卷号: 450, 期号: 2, 页码: 316-319
Yuan JF
;
Zhang JD
;
Wang J
;
Yan DH
;
Xu W
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浏览/下载:149/31
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提交时间:2010/08/17
THIN-FILM TRANSISTORS
CHARGE TRAPPING INSTABILITIES
TRANSPORT
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