×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
物理研究所 [164]
北京大学 [27]
半导体研究所 [27]
清华大学 [17]
金属研究所 [15]
厦门大学 [13]
更多...
内容类型
期刊论文 [362]
学位论文 [4]
会议论文 [3]
专利 [1]
其他 [1]
发表日期
2019 [11]
2018 [12]
2017 [11]
2016 [10]
2015 [13]
2014 [19]
更多...
学科主题
Physics [13]
半导体物理 [11]
半导体材料 [3]
光电子学 [2]
Materials ... [1]
Physics, C... [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共371条，第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Giant Tunneling Electroresistance Induced by Interfacial Doping in Pt/BaTiO3/Pt Ferroelectric Tunnel Junctions
期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2022, 卷号: 17
作者:
Xiao, Wei
;
Kang, Lili
;
Hao, Hua
;
Zhou, Yanhong
;
Zheng, Xiaohong
收藏
|
浏览/下载：22/0
|
提交时间：2022/05/16
Tunneling spectra of superconductor- Kitaev layer -metal junctions
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2022, 卷号: 625
作者:
Lyu, Jing-Jing
;
Jia, Shi-Qing
;
Zou, Liang-Jian
收藏
|
浏览/下载：22/0
|
提交时间：2022/01/10
Heterojunction
Quantum spin liquid
Kitaev quantum spin liquid model
Majorana fermions
Domain-wall induced giant tunneling electroresistance effect in two-dimensional Graphene/In2Se3 ferroelectric tunnel junctions
期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2021, 卷号: 133
作者:
Kang, Lili
;
Jiang, Peng
;
Zhang, Xiaoli
;
Hao, Hua
;
Zheng, Xiaohong
收藏
|
浏览/下载：36/0
|
提交时间：2021/08/31
Ferroelectric tunnel junctions
Tunneling electroresistance effect
Domain walls
Quantum transport
First principles
Giant tunneling electroresistance arising from reversible partial barrier metallization in the NaTiO3/BaTiO3/LaTiO3 ferroelectric tunnel junction
期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2021
作者:
Xiao, Wei
;
Kang, Lili
;
Hao, Hua
;
Zhou, Yanhong
;
Zhang, Lei
收藏
|
浏览/下载：23/0
|
提交时间：2021/08/30
A NAND-SPIN-Based Magnetic ADC
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 卷号: 68, 期号: 2, 页码: 617-621
作者:
Wu, Bi
;
Wang, Zhaohao
;
Li, Yuxuan
;
Wang, Ying
;
Liu, Dijun
收藏
|
浏览/下载：43/0
|
提交时间：2021/12/01
Switches
Resistance
Reliability
Magnetic tunneling
Tunneling magnetoresistance
Sensors
Magnetic devices
Magnetic ADC
NAND-SPIN
multiple switching thresholds
Calculating the Effect of AlGaN Dielectric Layers in a Polarization Tunnel Junction on the Performance of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes
期刊论文
Nanomaterials, 2021, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 13
作者:
Y. Wang
;
Z. H. Zhang
;
L. Guo
;
Y. X. Chen
;
Y. H. Li
收藏
|
浏览/下载：0/0
|
提交时间：2023/06/14
Field-Free 3T2SOT MRAM for Non-Volatile Cache Memories
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2020, 卷号: 67, 期号: 12, 页码: 4660-4669
作者:
Wu, Bi
;
Wang, Chao
;
Wang, Zhaohao
;
Wang, Ying
;
Zhang, Deming
收藏
|
浏览/下载：41/0
|
提交时间：2021/12/01
Random access memory
Magnetic tunneling
Switches
Reliability
Tunneling magnetoresistance
Metals
Transistors
SOT-MRAM
low power
high speed
high reliability
Transport through a network of two-dimensional NbC superconducting crystals connected via weak links
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2020, 卷号: 101, 期号: 11, 页码: 7
作者:
收藏
|
浏览/下载：35/0
|
提交时间：2021/02/02
Large spin Hall effect and tunneling magnetoresistance in iridium-based magnetic tunnel junctions
期刊论文
Science China: Physics, Mechanics and Astronomy, 2020, 卷号: 63
作者:
Zhou, JiaQi
;
Zhou, HangYu
;
Bournel, Arnaud
;
Zhao, WeiSheng
收藏
|
浏览/下载：40/0
|
提交时间：2019/12/30
Enhancement of ferroelectric performance in PVDF:Fe3O4 nanocomposite based organic multiferroic tunnel junctions
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 116, 期号: 15
作者:
Gao, Xue
;
Liang, Shiheng
;
Ferri, Anthony
;
Huang, Weichuan
;
Rouxel, Didier
收藏
|
浏览/下载：8/0
|
提交时间：2020/12/16
SPIN
FLUORIDE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace
