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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制 期刊论文 半导体技术, 2012, 期号: 4, 页码: 254-257 王中健; 夏超; 徐大伟; 程新红; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/02/22 绝缘体上硅  横向扩散金属氧化物半导体  击穿电压  线性渐变掺杂  注氧键合   Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI 期刊论文 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 卷号: 91, 页码: 102-105 Wang, ZJ; Cheng, XH; He, DW; Xia, C; Xu, DW; Yu, YH; Zhang, D; Wang, YY; Lv, YQ; Gong, DW; Shao, K 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/04/17 SOI  Simbond  High voltage device  LDMOS   Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI 期刊论文 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 卷号: 91, 页码: 102-105 Wang, ZJ; Cheng, XH（重点实验室）; He, DW; Xia, C; Xu, DW; Yu, YH（重点实验室）; Zhang, D; Wang, YY; Lv, YQ; Gong, DW; Shao, K 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Physics  Electrical & Electronic  Nanoscience & Nanotechnology  Applied  Optics   高端硅基SOI材料研发和产业化 成果 鉴定: 无, 2009 王曦等 收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2013/04/12