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Epitaxial growth of < 010 >-oriented MoO2 nanorods on m-sapphire
期刊论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1130-1135
作者:
Liu, JX
;
Shi, J
;
Wu, D
;
Zheng, XM
;
Chen, FM
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/09/06
FIELD-EMISSION PROPERTIES
ELECTRONIC-STRUCTURE
BISMUTH
DRIVEN
Epitaxial Growth of Highly Oriented Metallic MoO2@MoS2 Nanorods on C-sapphire
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2018, 卷号: 122, 期号: 3, 页码: 1860-1866
作者:
Wu, D
;
Yang, YG
;
Zhu, P
;
Zheng, XM
;
Chen, XL
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/09/06
Chemical-vapor-deposition
Hydrogen Evolution Reaction
Moo2 Nanorods
Raman-spectroscopy
Mos2 Nanosheets
Layer Mos2
Thin-films
Performance
Moo2/mos2
Graphene
beta-Ga2O3 epitaxial films deposited on epi-GaN/sapphire (0001) substrates by MOCVD
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2018, 卷号: 77, 页码: 58-63
作者:
Cao, Qiong
;
He, Linan
;
Xiao, Hongdi
;
Feng, Xianjin
;
Lv, Yuanjie
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/11
beta-Ga2O3 Films
Crystal structure
MOCVD
thermal annealing
β-Ga2O3epitaxial films deposited on epi-GaN/sapphire (0001) substrates by MOCVD
期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2018, 卷号: 77, 页码: 58-63
作者:
Cao, Qiong
;
He, Linan
;
Xiao, Hongdi
;
Feng, Xianjin
;
Lv, Yuanjie
收藏
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/11
β-Ga2O3 epitaxial films deposited on epi-GaN/sapphire (0001) substrates by MOCVD
期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2018, 卷号: 77, 页码: 58-63
作者:
Cao Q.
;
He L.
;
Xiao H.
;
Feng X.
;
Lv Y.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/11
Crystal structure
MOCVD
thermal annealing
β-Ga2O3 Films
Influence of growth temperature on intrinsic stress distribution in aluminum nitride grown by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 4
作者:
Liu, XH(刘雪华)
;
Zhang, JC(张纪才)
;
Huang, J(黄俊)
;
Yang, MM
;
Su, XJ(苏旭军)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/11
Room-temperature ferromagnetism in p-type nitrogen-doped ZnO films
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2015, 卷号: 161, 页码: 355-359
作者:
Nie, Xinran
;
Zhang, Bin
;
Wang, Jianzhong
;
Shi, Liqun
;
Di, Zengfeng
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/05/31
P-type ZnO:N film
Room-temperature ferromagnetism
V-O defects
BMPs
Unravelling Orientation Distribution and Merging Behavior of Mono layer MoS2 Domains on Sapphire
期刊论文
nano letters, 2015
Ji, Qingqing
;
Kan, Min
;
Zhang, Yu
;
Guo, Yao
;
Ma, Donglin
;
Shi, Jianping
;
Sun, Qiang
;
Chen, Qing
;
Zhang, Yanfeng
;
Liu, Zhongfan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
Molybdenum disulfide
chemical vapor deposition
controllable synthesis
grain boundary
polycrystallinity
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MONOLAYER MOLYBDENUM-DISULFIDE
HIGH-QUALITY MONOLAYER
LARGE-AREA
CONTROLLED GROWTH
GRAIN-BOUNDARIES
GRAPHENE FILMS
ATOMIC LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
EPITAXY
局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器
学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
包广宏
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2015/05/03
AlGaN日盲紫外探测器
表面等离激元
Al颗粒制备
Influence of vicinal sapphire substrate on the properties of N-polar GaN films grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 8
作者:
Su XJ(苏旭军)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/11/27
YELLOW LUMINESCENCE
STACKING-FAULTS
IMPURITY INCORPORATION
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