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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 NBTI degradation in STI-based LDMOSFETs 其他 2014-01-01 He, Yandong; Zhang, Ganggang; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/10 NBTI degradation  STI-based LDMOSFETs  HCI  MR-DCIV  TRANSISTORS   Multi-Region DCIV Spectroscopy and Impacts on the Design of STI-based LDMOSFETs 其他 2013-01-01 He, Yandong; Zhang, Ganggang; Han, Lin; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 multi-region DCIV spectroscopy  STI-based  LDMOSFET  reliability  TRANSISTORS   Correlation between MR-DCIV Current and High-Voltage-Stress-Induced Degradation in LDMOSFETs 其他 2013-01-01 He, Yandong; Han, Lin; Zhang, Ganggang; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 TRANSISTORS   Multiregion DCIV: A Sensitive Tool for Characterizing the Si/SiO2 Interfaces in LDMOSFETs 期刊论文 ieee electron device letters, 2012 He, Yandong; Zhang, Ganggang; Han, Lin; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 Interface traps  multiregion direct-current current-voltage (MR-DCIV)  nondestructive characterization technique  shallow trench isolation (STI)-based LDMOSFET  MOS-TRANSISTORS  TRAPS  DEGRADATION   A Multi-region Trap Characterization Method and Its Reliability Application on STI-based High-Voltage LDMOSFETs 其他 2012-01-01 He, Yandong; Zhang, Ganggang; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 High voltage LDMOS  multi-region direct current IV technique  interface state  degradation  HOT  TRANSISTORS   Insights into Stress-Induced Degradation of STI-based LDMOSFETs by MR-DCIV spectroscopy 其他 2012-01-01 He, Yandong; Han, Lin; Zhang, Ganggang; Zhang, Xing; Qi, Congming; Su, Wei 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Method for direct characterizing interface traps in STI-type high voltage SOI LDMOSFETs 其他 2011-01-01 He, Yandong; Zhang, Ganggang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13