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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparison of single-event transients of t-gate core and io device in 130nm partially depleted silicon-on-insulator technology 期刊论文 Ieice electronics express, 2016, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 11 作者:  Zheng Yunlong;  Dai Ruofan;  Chen Zhuojun;  Sun Shulong;  Wang Zheng 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/09 Direct measurement  Heavy ion irradiation  Silicon on insulator technology  Single event transient  Mosfet  Radiation harden by design