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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A new approach to near-surface positron annihilation analysis of ion irradiated ferritic alloys 期刊论文 NANOSCALE ADVANCES, 2021, 页码: 12 作者:  Krsjak, Vladimir;  Hruska, Petr;  Degmova, Jarmila;  Sojak, Stanislav;  Noga, Pavol 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/12/08 Near-surface investigation of positron diffusion length in helium-implanted Fe9Cr and its ODS variant 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2021, 卷号: 538, 页码: 5 作者:  Degmova, Jarmila;  Krsjak, Vladimir;  Shen, Tielong;  Veternikova, Jana Simeg;  Gatciova, Andrea 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/12/13 F/m steels  He+ implantation  Slow positron Doppler broadening technique  Positron diffusion length   Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN and unintentional-doped GaN films 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107, 期号: 2, 页码: 23528 作者:  Xu, FJ;  Shen, B;  Lu, L;  Miao, ZL;  Song, J 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/06/29 gallium compounds  III-V semiconductors  MOCVD  photoluminescence  positron annihilation  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors   半导体量子阱中传播效应对子带间拉比振荡的影响 期刊论文 Chin. Opt. Lett., 2008, 卷号: 6, 期号: 9, 页码: 689, 692 周旭升; 崔妮; 祖继锋; 龚尚庆 收藏  |  浏览/下载：1325/198  |  提交时间：2009/09/18 半导体量子阱  Carrier density  传播效应  Electron interactions  子带间拉比振荡  Inter subband  粒子数布居饭转  Modulation-doped  Multiple quantum wells  Non-linearities  Population inversions  Propagation effects  Quantum wells  Rabi flopping   Defect characterization of 6H-SiC studied by slow positron beam 期刊论文 CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2008, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 333-338 作者:  Wang Haiyun;  Weng Huimin;  Zhou Xianyi 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/12/13 IRRADIATED SILICON-CARBIDE  ELECTRON-SPIN-RESONANCE  LIFETIME SPECTROSCOPY  RADIATION DEFECTS  ATOMIC DEFECTS  ANNIHILATION  PHOTOLUMINESCENCE  MODES  positron annihilation  defect  semiconductor   Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: 252101 作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Yang, H;  Zhu, JJ;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/06/29 Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101 Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Liang JW (Liang J. W.); Hao XP (Hao X. P.); Wei L (Wei L.); Li X (Li X.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON-BEAM  VACANCIES   INVESTIGATIONS ON NANOCRYSTALLINE FE78B13SI9 ALLOYS BY POSITRON-ANNIHILATION SPECTROSCOPY 期刊论文 Journal of Applied Physics, 1992, 卷号: 72, 期号: 11, 页码: 5124-5129 H. Y. Tong; B. Z. Ding; J. T. Wang; K. Lu; J. Jiang; J. Zhu 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/04/14 lifetime spectroscopy  metals  vacancies  iron