QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Metal electrode influence on the wet selective etching of gaas/algaas 期刊论文 Journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 4 作者:  Wang Jie;  Han Qin;  Yang Xiao-Hong;  Wang Xiu-Ping;  Ni Hai-Qiao 收藏  |  浏览/下载：120/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Chromium alloys  Copper alloys  Electrochemical analysis  Electrochemical electrodes  Etching  Gallium arsenide  Gold alloys  Iii-v semiconductors  Metallic thin films  Titanium alloys   Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 41208 Wang J; Han Q; Yang XH; Wang XP; Ni HQ; He JF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/02/06 HYDROGEN-PEROXIDE SOLUTIONS  III-V SEMICONDUCTORS  PSEUDOMORPHIC MODFETS  GAAS  FABRICATION  TRANSISTOR  ALGAAS   Photoluminescence of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with different thickness of spacer layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524 Cao X; Zeng YP; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP; Wang XG; Chang Y; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：134/8  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR  CARRIER DENSITY  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP