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New thermal optimization scheme of power module in solid-state amplifier
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2019, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 7
作者:
Sun, Lie-Peng
;
Yuan, Zhen-Yu
;
Zhang, Cheng
;
Xu, Xian-Bo
;
Miao, Jun-Gang
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2019/11/10
RF system
Solid-state amplifier
Power module
Heat transfer coefficient
Ruggedness Characterization of Bonding Wire Arrays in LDMOSFET-Based Power Amplifiers
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 8, 页码: 1032-1041
作者:
Lin, Liang
;
Hua, Yu-Jie
;
Zhou, Liang
;
Wu, Qi
;
Mao, Junfa
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/30
Bonding wire array
breakdown temperature
electro-thermo-stress (ETS)
finite-element method (FEM)
laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS)
power amplifier (PA)
ruggedness testing
thermal and stress failure
A High-Voltage (> 600 V) N-Island LDMOS With Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016
Hu, Yue
;
Wang, Hao
;
Du, Caixia
;
Ma, Miaomiao
;
Chan, Mansun
;
He, Jin
;
Wang, Gaofeng
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Breakdown voltage (BV)
lateral double-diffused MOS (LDMOS)
N-island (NIS)
partial silicon-on-insulator (PSOI)
step-doped drift (SDD) region
BURIED P LAYER
POWER LDMOS
IMPROVEMENT
DEVICES
TRENCH
FILM
TRANSISTOR
Analysis of Kirk effect of an innovated high side Side-Isolated N-LDMOS device
其他
2016-01-01
Lai, Ciou Jhong
;
Sheu, Gene
;
Chien, Ting Yao
;
Wu, Chieh Chih
;
Lee, Tzu Chieh
;
Deivasigamani, Ravi
;
Wu, Ching Yuan
;
Chandrashekhar
;
Yang, Shao Ming
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
High temperature behavior of multi-region direct current current-voltage spectroscopy and relationship with shallow-trench-isolation-based high-voltage laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors reliability
期刊论文
日本应用物理学杂志, 2014
He, Yandong
;
Zhang, Ganggang
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
INTERFACE TRAPS
SMART POWER
LDMOS
PHYSICS
DCIV
High temperature behavior of multi-region direct current current-voltage spectroscopy and relationship with shallow-trench-isolation-based high-voltage laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors reliability
其他
2014-01-01
He, Yandong
;
Zhang, Ganggang
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
开关电源电路设计及其高压功率器件研制
学位论文
2014, 2014
江凌峰
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/01/12
智能照明
开关电源
LDMOS
VDMOS
IGBT
Intelligent Lighting
Switch Power Supply
LDMOS
VDMOS
IGBT
Study on silicon window polarity of partial-SOI LDMOS power devices
期刊论文
Proceedings of the 5th Asia Symposium on Quality Electronic Design, ASQED 2013, 2013
作者:
Du, Caixia
;
Zhong, Shengju
;
Hu, Yue
;
Wang, Hao
;
Wang, Cheng
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/05
Investigation of Hot Carrier Degradation in Shallow-Trench-Isolation-Based High-Voltage Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by a Novel Direct Current Current-Voltage Technique
期刊论文
日本应用物理学杂志, 2012
He, Yandong
;
Zhang, Ganggang
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
SMART POWER
An analytical model for the drain-source breakdown voltage of RF LDMOS power transistors with a Faraday shield
期刊论文
半导体学报(英文版), 2012, 卷号: 第4期, 页码: P32-37
作者:
Zhang Wenmin1
;
* Zhang Wei1
;
Fu Jun2
;
Wang Yudong2
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/26
RF LDMOSFET/Faraday shield/breakdown voltage/surface electrical field/drift region
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