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期刊论文 [5]
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Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: Vol.64 No.8, 页码: 3139-3144
作者:
Li, Y
;
Guo, YX
;
Zhang, K
;
Zou, XM
;
Wang, JL
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Logic gates
HEMTs
MODFETs
Aluminum gallium nitride
Wide band gap semiconductors
Threshold voltage
AlGaN/GaN
CUO gate
NiOₓ gate
p-type metal oxide
threshold voltage
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOₓ Gate in AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 页码: 1-6
作者:
Yi Li
;
Yaxiong Guo
;
Kai Zhang
;
Xuming Zou
;
Jingli Wang
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Logic gates
HEMTs
MODFETs
Aluminum gallium nitride
Wide band gap semiconductors
Threshold voltage
AlGaN/GaN
CuO gate
NiOₓ
gate
p-type metal oxide
threshold voltage.
Low Leakage Current and High-Cutoff Frequency AlGaN/GaN MOSHEMT Using Submicrometer-Footprint Thermal Oxidized TiO2/NiO as Gate Dielectric
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 738-740
作者:
Zhang, YH(张耀辉)
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2014/01/15
AlGaN/GaN
cutoff frequency
metal oxide semiconductor high electron mobility transistor (MOSHEMT)
thermal oxidized TiO2
Low Leakage Current and High-Cutoff Frequency AlGaN/GaN MOSHEMT Using Submicrometer-Footprint Thermal Oxidized TiO2/NiO as Gate Dielectric
期刊论文
ieee electron device letters, 2013
Meng, Di
;
Lin, Shuxun
;
Wen, Cheng P.
;
Wang, Maojun
;
Wang, Jinyan
;
Hao, Yilong
;
Zhang, Yaohui
;
Lau, Kei May
;
Wu, Wengang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/10
AlGaN/GaN
cutoff frequency
metal oxide semiconductor high electron mobility transistor (MOSHEMT)
thermal oxidized TiO2
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL2O3
LAYER
HEMTS
Characteristics of submicron-footprint TiO2 based AlGaN/GaN MOSHEMT on SiC substrate
其他
2013-01-01
Di, Meng
;
Lin, Shuxun
;
Wen, Cheng P.
;
Wang, Maojun
;
Wang, Jinyan
;
Hao, Yilong
;
Zhang, Yaohui
;
Lau, Kei May
;
Wu, Wengang
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性(英文)
期刊论文
功能材料与器件学报, 2009, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 71-74
作者:
武德起
;
姚金城
;
赵红生
;
张东炎
;
常爱民
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/11/29
高介电栅介质材料
激光分子束外延
二氧化铪
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