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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nb2SiTe4: A Stable Narrow-Gap Two-Dimensional Material with Ambipolar Transport and Mid-Infrared Response 期刊论文 ACS NANO, 2019, 卷号: 13, 期号: 9, 页码: 10705 作者:  Zhao, Mingxing;  Xia, Wei;  Wang, Yang;  Luo, Man;  Tian, Zhen 收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2019/12/26 Nb2SiTe4  ambipolar transistor  mid-infrared  two-dimensional material  narrow gap  stability   Nb2SiTe4 and Nb2GeTe4: Unexplored 2D Ternary Layered Tellurides with High Stability, Narrow Band Gap and High Electron Mobility 期刊论文 Journal of Electronic Materials, 2019 作者:  Fang, Wen-Yu;  Li, Ping-An;  Yuan, Jun-Hui;  Xue, Kan-Hao;  Wang, Jia-Fu 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/05