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SRAM型FPGA的SEU容错技术研究 学位论文
中国科学院光电技术研究所: University of Chinese Academy of Sciences, 2021
作者:  钟敏
收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2021/06/28
Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM* 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 8
作者:  Mo, Li-Hua;  Ye, Bing;  Liu, Jie;  Luo, Jie;  Sun, You-Mei
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/12/10
Azimuthal dependence of single-event and multiple-bit upsets in SRAM devices with anisotropic layout 期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2015, 卷号: 26, 页码: 7
作者:  Duan Jing-Lai;  En Yun-Fei;  Xi Kai;  Mo Dan;  Luo Jie
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/05/31
Modeling and assessing the influence of linear energy transfer on multiple bit upset susceptibility 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22
作者:  Gu Song;  Xi Kai;  Liu Jie;  Geng Chao;  Liu Tian-Qi
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/05
Angular dependence of multiple-bit upset response in static random access memories under heavy ion irradiation 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22
作者:  Liu Jie;  Yao Hui-Jun;  Mo Dan;  Duan Jing-Lai;  Su Hong
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/05
Monte Carlo evaluation of spatial multiple-bit upset sensitivity to oblique incidence 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22
作者:  Geng Chao;  Mo Dan;  Yao Hui-Jun;  Duan Jing-Lai;  Sun You-Mei
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/07/05
诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究 期刊论文
核电子学与探测技术, 2011, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 171
作者:  陈善强;  师立勤
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/12/15
The dependence of single event upset cross-section on incident angle 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 566-570
作者:  Zhu, ZY;  Zhang, QX;  Hou, MD;  Liu, J;  Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/10/29
静态随机存储器单粒子效应的角度影响研究 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 566-570
张庆祥; 侯明东; 刘杰; 王志光; 金运范; 朱智勇; 孙友梅
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2014/04/30
The impact of incident angle on multiple-bit upset in SRAMs 会议论文
作者:  Zhang, QX;  Hou, MD
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/08/20

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