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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The appearance of clear ferromagnetism for p-type InMnP : Zn implanted with Mn of 1 at.% 期刊论文 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 146, 期号: 1-3 作者:  Shon, Yoon;  Jeon, H. C.;  Lee, Sejoon;  Park, C. S.;  Kim, Eun Kyu 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 Mn+ ion implantation  InMnP : Zn  ferromagnetic semiconductor   The appearance of clear ferromagnetism for p-type InMnP : Zn implanted with Mn of 1 at.% 会议论文 作者:  Shon, Yoon;  Jeon, H. C.;  Lee, Sejoon;  Park, C. S.;  Kim, Eun Kyu 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 Mn+ ion implantation  InMnP : Zn  ferromagnetic semiconductor   Ferromagnetic formation of two phases due to MnP and in Mn3 from InMnP:Zn implanted with Mn (10 at. %) 期刊论文 Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 23 作者:  Shon, Yoon;  Lee, Sejoon;  Jeon, H.C.;  Lee, S.-W.;  Kim, D.Y. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29 杨冠东; 朱峰; 李京波 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/08/29